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ZY-1500R IGBT静态参数测试系统图1

ZY-1500R IGBT静态参数测试系统

2024-11-23 15:5036
价格 100000.00
发货 陕西西安长安区付款后3天内  
品牌 西安智盈电气科技
栅极 发射极 Vges:1-40V 分辨率0.1V
电流 200-10000A
电压 Vces:100-6500V 分辨率10V
库存 10起订1件  
产品详情

主要用途                                    

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。其广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车、新能源装备等领域。

系统概述                            

针对轨道交通的IGBT模组的静态参数测试需求而研发的智能测试系统,自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作。进行测试时,有详细的测试记录,包括测试时间、测试环境、测试设备和仪器、测试结果等信息,便于后续分析和检查计算机记录测试结果,并且测试结果可转化为文本或EXCEL格式存储,工作时序、开关的动作状态、数据采集等均由设备配置的计算机和PLC共同完成。

测试方法灵活,可测试单个单元和多单元的模块,系统安全稳定,整体采用轮式机柜集成测试,具有简洁的人机交互界面(计算机)和良好的保护措施,操作简单,移动方便等特点。

 

系统单元参数条件                                                                   

 

栅极

发射极

Vges:1-40V    分辨率0.1V

Iges:0.01-10uA 分辨率0.001uA

Vce:0V

集电极

发射极

Vces:100-6500V 分辨率10V

Ices:1uA-5000uA 分辨率0.1uA

栅极发射极阈值电压

Vge(th):1-10V 分辨率 0.1V

集电极/发射极

饱和电压

Vce(sat)0.1-10分辨率0.01V

Ice10-1000A 分辨率1A

二极管

压降

VF:0.1-10V 分辨率0.01V

IF:1-1000A 分辨率1A

Vge:0V   Vces:100V

二极管反向可恢复直流电压

Vces:100-6500V 分辨率10V

Ices:1uA-5000uA 分辨率0.1uA

 


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西安智盈电气科技有限公司

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