单晶硅多晶硅光伏行业专用雷士超声波清洗机
类型 超声波冷凝槽
适用领域 半导体、导体、硅晶、水晶玻璃、液晶屏
槽数 1
用途 表面清洁处理
功 能 超声波+加热+液体循环+溢流+冷凝降温
包 装 工业缠绕薄膜
超声清洗机 1台
超声发生器 1台
内槽尺寸 355×355×320 mm
槽体材质 不锈钢316
超声功率 600W
超声频率 40KHz、80KHz、200KHz、270KHz 可切换
加热调节 0~60℃
电器控制 PLC
概述
半导体行业的原材料大部分都由电子器件和硅片组成的，因为半导体外形比较复杂，孔内小，利用超声波清洗机的高效率和高清洁度，得益于其声波在介质中传播时产生的穿透性和空化冲击疚，所以很容易将带有复杂外形，内腔和细空清洗干净，在超声波作用下只需两三分钟即可完成，其速度比传统方法可提高几倍，甚至几十倍，清洁度也能达到高标准，提高了对半导体的生产效率，更突出显示了用其他处理方法难以达到或不可取代的结果
LSA-MN12四频率半导体超声波清洗机，能有效去除硅片、晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性。根据不同清洗工艺配置相应的清洗单元，各部分有独立控制，随意组合，设备结构紧凑，净化占地面积小，造型美观、实用，操作符合人机工程原理。
2清洗方式
普通的清洗方法一般不能达到孔内,而孔内芯料的反应生成物及其他污染物会在后序工艺中会产生重复污染。无论是采用有机溶剂或是清洗液清洗都容易引入新的污染源,然而利用超声波清洗技术却可以实现无重复污染,而且能深入MCP孔内的效果。对不同材料及孔径的MCP应采用频率、声强可调的超声波进行实验,以确定实际工艺参数。对孔径6~12μmMCP的清洗,当媒液为水和乙醇时,可采用空化阈约1/3 W/cm2,声强10~20 W/cm2,频率20~120 kHz的超声波进行清洗。表1是同一段不同板号的MCP采用不同频率超声波清洗后表观及电性能测试结果。由检测结果可见,对1μm以下的小颗粒污染物,应选用频率40 kHz以上的超声波进行清洗。
3清洗温度
在硅片的清洗过程中，清洗液的温度是一个关键因素。合适的清洗温度能够加快油污的去除，得到非常好的清洗效果。当硅片浸到清洗液中，硅片上的油污产生膨胀，油污内部以及油污与硅片之间的作用力减弱，温度越高，油污膨胀越大，这种作用力就越弱，表面活性剂分子越容易将油污撬离硅片表面。同时，温度的变化可导致胶束本身性质和被增溶物在胶束中溶解情况发生变化。只有温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时，增溶能力最强，因而清洗液的温度设定在60℃。
