基于普赛斯Р系列脉冲源表/CP系列恒压脉冲源的脉冲I-V特性测试系统
整套测试系统基于普赛斯P系列脉冲源表/CP恒压脉冲源,配合探针台以及专用测试软件,可用于GaN HEMT 、GaAs射频器件脉冲I-V参数测试,尤其是脉冲l-V输出特性曲线的绘制。
P系列脉冲源表
P系列脉冲源表是普赛斯推出的高精度、强输出、宽测试范围的脉冲式源表,集电压、电流的输入输出及测量等多种功能。产品具有直流、脉冲两种工作模式。Z大输出电压达300V,Z大脉冲输出电流达10A,Z大电压300V,Z大电流1A,支持四象限工作,支持线性、对数、自定义等多种扫描模式。可用于生产、研发中的GaN、GaAs射频材料以及芯片的脉冲式l-V特性测试。
CP系列脉冲恒压源
普赛斯CP系列脉冲恒压源是武汉普赛斯仪表推出的窄脉宽、高精度宽量程插卡式脉冲恒压源。设备支持窄脉冲电压输出,并同步完成输出电压及电流测量;支持多设备触发实现器件的脉冲l-V扫描等;支持输出脉冲时序(如delay.pulse width、period等)调节,可输出复杂曲线。其主要特点有:脉冲电流大,Z高可至10A;脉冲宽度窄,最小可低至100ns;支持直流、脉冲两种电压输出模式;支持线性、对数以及自定义多种扫描工作方式。产品可应用于氮化家、砷化窃等材料构成的高速器件的I-V测试。
对于射频器件的脉冲式l-V特性测试,其栅极电压—般在±10V以内,源、漏端电压在±60V以内,脉冲宽度从0.5us~500us不等，占空比为10%或20%。此外，由于器件为三端口类型,因此,至少需2台Р源表,或者2通道CP子卡。
脉冲输出特性曲线测试
由于GaN器件材料以及生产工艺限制,存在电流崩塌效应。因此,器件在脉冲条件下工作时会存在功率下降,无法达到理想的大功率工作状态。脉冲输出特性测试方法为，在器件的栅极和漏极同步施加周期性脉冲电压信号,栅极和漏极的电压会同步在静态工作点和有效工作点之间进行交替变化。在Vcs和Vos为有效电压时,对器件电流进行监测.研究证明,不同的静态工作电压以及脉宽长度对电流崩塌有不同影响。
基于普赛斯CP系列恒压脉冲源的脉冲S参数测试系统
整套测试系统基于普赛斯CP系列恒压脉冲源,配合网络分析仪、探针台、Bias-tee夹具,以及专用测试软件。在直流小信号S参数测试的基础上,可实现GaN HEMT 、GaAs射频器件脉冲S参数测试。
武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统集成等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品以及整套测试系统。产品广泛应用在功率半导体材料与器件、射频器件、宽禁带半导体的分析测试领域。可根据用户的需求,提供高性能、高效率、高性价比的电性能测试综合解决方案。
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