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光伏组件PID测试高压程控电源图1光伏组件PID测试高压程控电源图2

光伏组件PID测试高压程控电源

2024-11-22 09:2497
价格 面议
发货 湖北武汉江夏区付款后3天内  
品牌 普赛斯仪表
Z大输出功率 350W,3500V/100mA(不同型号有差异)
输出电压建立时间 典型时间15uS
精度 0.10%
该产品库存不足
产品详情

E系列光伏组件PID测试高压程控电源特点和优势:

十ms级的上升沿和下降沿;

单台Z大3500V的输出;

0.1%测试精度;

同步电流或电压测量;

支持程控恒压测流,恒流测压,便于扫描测试;

产品简介

高电压源测单元具有输出及测量电压高(3500V)、能输出及测量微弱电流信号(1nA)的特点。设备工作在D一象限,输出及测量电压0~3500V,输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式,同时支持丰富的I-V扫描模式。

 

部分技术参数

蕞大输出功率:350W,3500V/100mA(不同型号有差异);

输出电压建立时间典型值:< 5ms;

输出接口:E100:三同轴BNC;E200、E300:KHV(三同轴);

扫描:支持线性、对数及用户自定义扫描;

通信接口:RS232、以太网;

保护:支持急停;

触发:支持trig    IN及trig out;

尺寸:19英寸2U机箱;


应用领域:

用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。

 

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备,产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU)的第三代半导体功率器件静态参数测试方案,为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段,实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对光伏组件PID测试高压程控电源感兴趣,欢迎随时联系我们!

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武汉普赛斯仪表有限公司

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