碳化硅GaN-on-SiC氮化镓外延片生产厂家 RF HEMT
苏州恒迈瑞供应RF HEMT应用碳化硅射频高电子迁移管GaN 氮化镓外延片，尺寸涵盖4英寸及6英寸，SiC碳化硅与GaN氮化镓由于晶格失配较小，导电、热导率高，是主流的GaN外延生长衬底之一。其中，导电型SiC衬底主要用于外延GaN基LED等光电子器件、SiC基电力电子器件，半绝缘型SiC衬底主要用于外延制造GaN高功率射频器件，比如5G基站中的PA、雷达等。
GaN材料特性上，其承受的电压和功率密度会比SiC低一点，但GaN器件可以拥有接近于0的关断时间，也就是可以工作在比SiC器件更高的开关频率上。GaN氮化镓 分别在射频领域比如高电子迁移率晶体管（HEMT）和单片微波集成电路（MMIC），以及功率半导体领域起到了重要作用。
