可控硅动态关断时间测试设备主要完成功率器件的开通特性、关断特性以及极限关断特性参数的测试。
本技术规格书ZY-Eon适用于IGCT功率半导体标准动态特性测试台（下面简称测试台），规定了测试台的主要技术要求，参数范围，操作流程，试验方法及检验规则等。
本技术规范并未对一切技术细节做出规定，所提供的货物应符合工业标准和本技术规范中所提要求。
1. 引用标准[滨1]
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管
JB/T 7624-2013 整流二极管测试方法
JB/T 7626-2013 反向阻断三极晶闸管测试方法
以及国标、IEC、IEEE相关标准，以上标准均执行版本。如本技术规范与上述各标准之间有矛盾，则应满足较高标准。
2. 技术要求
序号 | 项目 | 参数 | 备注 | |
1 | 常规开通 | 通态电流 | 范围：200-10000A，连续可调； | |
主电容电压 | 范围：300-7000V，连续可调； | |||
导通电流宽度设定范围 | 10μs-5ms | |||
上升时间测量范围 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
开通反馈延迟时间测量范围 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
开通延迟时间测量范围 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
开通能量测量范围 | 0.01-200J±3%±0.1J | |||
开通di/dt测量范围 | 10-5000A/μs±3%±10A/μs | |||
2 | 常规关断 | 关断电流 | 范围：200-10000A，连续可调； | |
关断反馈延迟时间测量范围 | 0.01-20μs±3%±0.05μs | |||
关断延迟时间测量范围 | 0.01-40μs±3%±0.05μs | |||
关断能量测量范围 | 0.01-1000J±3%±0.1J | |||
断态电压上升率测量范围 | 10-5000V/μs±3%±10V/μs | |||
断态电流下降率测量范围 | 10-10000A/μs±3%±10A/μs | |||
*主回路寄生电感 | ≤300nH | |||
3 | 极限关断 | 关断电流 | 范围：＜20000A； | 设备能力 |
4 | 数据采集和处理单元 | 示波器 | 带宽不低于500MHz，采样率不低于6.5Gs/s | |
试品控制方式 | 光纤控制 |
2.1. 自动恒温压力夹具
序号 | 项目 | 参数 | 备注 |
1 | 工作方式 | 自动，气动 | |
2 | 压力范围 | 10～130KN；分辨率0.1 KN，精度±5%±1KN。 | |
3 | 温度控制范围 | 70～180℃，分辨率0.1℃；
| 高压阳极控温器采用非接触式测温 |
(天津科研院所)
